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半導体製造向け薄膜成長技術開発、東大発Gaianixxが3.5億円をシリーズB2調達 – BRIDGE

Gaianixx は東京大学発のテクノロジーベンチャーで、半導体業界におけるエピタキシャル膜の多段層単結晶化を可能にする独自技術、多能性中間膜を開発し、半導体 ...
Source: アラートベンチャーニュース

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