Samsung、HPC向けにGAA構造を採用した3nmプロセスでの初期生産を開始

Samsung Electronicsは6月30日、Gate-All-Around(GAA)トランジスタアーキテクチャを採用した3nmプロセスによる初期生産(initial production)を開始したと発表した。
Samsungの3nmプロセス、2022年前半の提供は困難に　韓国メディア報道
3nmプロセスは、2022年6月30日時点における半導体微細化プロセスにおいて最先端プロセスに位置
Source: グノシー経済

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