産業技術総合研究所（産総研）は12月12日、窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスターと、炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードを一体化したハイブリッド型トランジスターの製作と動作実証に、世界で初めて成功したことを発表した。これは、産総研先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチームの中島昭主任研究員と原田信介研究チーム長の研究によるもの。
これは、電力エネルギーの変換や制御を行う電力変換器に使用されるパワートランジスターの一種。パワートランジスターは電気的スイッチとして用いられるため、次の3つの性能が求められる。
高効率な電力変換を実現するための、スイッチオン状態における導通損失を減らす低いオン抵抗
スイッチング損失を減らすための、オンとオフの高速な切り替え性能
電力変換回路の異常動作時におけるノイズエネルギーの吸収源としての役割
現在の主流になっているシリコン（Si）トランジスターは、この3つの性能がほぼ限界に達していることから、効率の高いGaNトランジスターの研究が行われてきた。シリコントランジスターには、構造的にソースとドレインという2つの電極がPN接合されているため、本来的にダイオードの性質を持っている。ところが、GaNトランジスターにはそれがない。ダイオードは本来、片方向にだけ電流を流す性質があるが、パワートランジスターに含まれるダイオ
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産総研、シリコンを超えるGaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスターの動作実証に成功
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