・研究者は、毎秒10ギガビットで読み取りと書き込みの両方の操作を実行する光ランダムアクセスメモリを製造しています。
・この高い処理能力光メモリユニットは、プロセッサとRAMのパフォーマンスのギャップ拡大を解消することになります。
光ランダムアクセスメモリ（o-RAM）は、電子回路での機能を光に置き換えるという点で最も難しい挑戦の１つとして考えられてきました。
ハードウェアでは、データはレーザー光を使って読み書きされ、演算は光ルーティングと処理によって実行されます。 これが小型のキャッシュメモリに取って代わることになり、（RAMと連動して）キャッシュメモリシステムが光学相互接続のプロセッサ – メモリアーキテクチャと完全に互換性があるということになります。
これまでに開発された光学式RAMは、5 GHzの速度いき値を超えることはできませんでした。 これにより、実社会での用途は制限され、電子機器に対しての優位性が保てなかったのです。
最近、テッサロニキのアリストテレス大学の研究チームは、毎秒10ギガビットで読み取りと書き込みの両方の操作を実行するo-RAMを実証しました。これは、従来の最先端のo-RAMデモの2倍の速度になります。
長年の「メモリウォール」問題
「メモリウォール
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