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間もなく日本上陸のEUV露光装置、実用化

EUV(極端紫外線)露光装置が日本に上陸するニュースは非常に興味深いです。Rapidusが2024年内に北海道千歳市の工場に導入する予定で、これが国内初のEUV露光装置となる見通しです1。この装置は、オランダのASMLが世界で唯一製造しており、最先端半導体の製造に不可欠な技術ですEUV露光技術は、半導体の微細化を進めるために重要で、特に7nm以下のプロセスノードで必要とされています。この技術の導入により、日本の半導体産業がさらに発展することが期待されます。EUV露光装置の導入は日本の半導体産業にとって大きな進展です。Micron Technologyは2025年に広島工場にEUV露光装置を導入し、2026年からDRAMの量産に使用する予定ですTSMCは2027年の稼働を目指して熊本第2工場にEUV露光装置を導入する計画です産業技術総合研究所(産総研)は、米Intelと連携してEUV露光装置を使った研究開発拠点を整備する予定ですこれにより、日本の半導体製造能力が大幅に向上し、グローバルな競争力が強化されることが期待されます。ASMLがEUV露光装置の開発に成功し、ニコンとキヤノンが失敗した理由については、いくつかの要因が挙げられます。技術的な難易度: EUV露光技術は非常に高度で、光源の出力を高めることや、光の吸収を最小限に抑えるための真空環境の維持など、多くの技術的課題がありました

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