マイクロンテクノロジーが引っ張る半導体市場 ARM 日本政府の半導体投資

日本政府が次世代半導体の開発支援に本格的に乗り出しています。文部科学省は2025年度予算に、1nm世代以降の半導体開発などに94億円を計上しました。また、経済産業省は米Intelと協力し、EUV（極端紫外線）露光装置を国内の大学や企業が利用できる環境を整える計画です。この取り組みは、次世代半導体の開発や人材育成を目的としており、特にEUV技術の導入が注目されています。EUV露光技術は、7nm以降の微細回路パターンをシリコンウェーハ上に転写するための重要な技術であり、これにより半導体の性能と効率が大幅に向上します1nm世代以降の半導体は、現在の最先端技術のさらに先を見据えたものです。1nmは10オングストローム（Å）に相当し、これほど微細なプロセス技術は、半導体の性能と効率を飛躍的に向上させる可能性があります主な特徴と技術微細化の限界突破:1nmプロセスは、従来のシリコンベースの技術の限界を超えるために、新しい材料や構造が必要です。例えば、2D材料（遷移金属ジカルコゲナイドなど）や3D構造（立体的なトランジスタ配置）が研究されていますEUVリソグラフィ:極端紫外線（EUV）リソグラフィは、1nmプロセスの実現に不可欠な技術です。EUVは、非常に短い波長の光を使用して、微細な回路パターンをシリコンウェーハに転写します新しいトランジスタ構造:1nm世代では、従来のFinFETからGAA（

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