ドラムと半導体

サムスン電子のファウンドリ（半導体受託生産）生産ラインでウェハーに欠陥が発生したという噂が流れており、議論を呼んでいます。サムスン電子は、これを強く否定しており、「事実無根」との立場を取っています。6月26日の関連業界および証券界によると、サムスン電子のファウンドリ生産ラインでウェハーに欠陥が発生したという噂が流れています。サムスン電子は下半期にGAA（ゲートオールアラウンド）3ナノメートル（nm）2世代のプロセスの量産を開始する予定ですが、そのラインで2500ロット（lot）規模のウェハーに欠陥が発生したと言われています。サムスン電子はこのような噂に対して「事実無根」と述べ、強く否定していますGAA 3ナノは、半導体のトランジスタ構造の一種で、次世代の微細加工技術です。GAAは「Gate All Around」の略で、トランジスタのゲートがチャネルを全周囲から囲む構造をしています。この技術により、電流の流れをより細かく制御し、高い電力効率を実現することができます具体的には、GAA 3ナノメートル技術は、従来のFinFET（フィンフェット）トランジスタの進化形であり、チャネルがゲートによって4面全てを囲まれることで、漏洩電流を抑え、トランジスタの性能と効率を大幅に向上させることが期待されています。この技術は、特に省電力性能やパフォーマンスの向上が求められる人工知能（AI）、5G、モ

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