MITが開発した三次元のチップデザインは強力なエッジコンピューティングの未来を開くか

MITの研究者たちが、カーボンナノチューブと抵抗変化型メモリ(resistive random-access memory, RRAM)を併用する三次元チップ製造法により、複雑な三次元アーキテクチャ〔多層構造〕をサポートする結合型ナノ電子プロセッサーデザイン*(combined nanoelectronic processor design)を開発した。従来のシリコンを使ったチップ製造法では、二次元の構造しか作れなかった。〔*: 結合とは、コンピューティングとメモリが一体化している…三次元構造…という意味。〕
この三次元構造が可能なのは、カーボンナノチューブの回路とRRAMのメモリ部位が、摂氏200度以下の温度で作れるからだ。二次元のシリコントランジスタの製造に必要な1000度に比べると、きわめて低い。低温だと、多層構造を隣接する他の層にダメージを加えずに作れる。
この三次元モデルの利点は、小さなプロセッサーに高速な処理能力と処理の対象となる大量のデータを一体化できることにある。それは、従来ならデータセンターやプロセッサーファームへの行ったり来たり（ラウンドトリップ）を必要とするほどのデータおよび処理量だ。科学者たちや製品の設計者たちは最近ますます、‘エッジにおける’高度なデータ処理を追究している。エッジとは、たとえばセンサー群がそこにある超ローカル、という

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